當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來雙重驅(qū)動力：一方面，AI算力需求從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)延伸，國產(chǎn)AI芯片市場進(jìn)入爆發(fā)期，先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張超預(yù)期，直接拉動上游設(shè)備需求；另一方面，存儲芯片進(jìn)入超級周期，AI驅(qū)動的存儲需求橫跨所有領(lǐng)域，DRAM價格持續(xù)上行，存儲原廠資本開支提升，擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期催化設(shè)備訂單。在國產(chǎn)算力崛起、存儲周期上行、設(shè)備國產(chǎn)化加速三重共振下，半導(dǎo)體設(shè)備板塊迎來中長期配置窗口。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰（159516）午后大漲2%，聚焦刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測等核心設(shè)備環(huán)節(jié)，覆蓋半導(dǎo)體設(shè)備與材料龍頭，是把握本輪半導(dǎo)體上行周期的核心工具。

國產(chǎn)算力崛起，先進(jìn)制程擴(kuò)張超預(yù)期

中國AI芯片市場進(jìn)入爆發(fā)期，本土份額從2022年不足15%提升至2025H1接近35%，先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張超預(yù)期，直接拉動上游半導(dǎo)體設(shè)備需求。

國產(chǎn)AI芯片出貨量高增：申萬宏源指出，借助政策支持與強勁的本地需求，核心企業(yè)憑借自主研發(fā)的產(chǎn)品矩陣，在海外產(chǎn)品出現(xiàn)真空期間逐步填補算力供給缺口。

先進(jìn)制程供給擴(kuò)張超預(yù)期：根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2026年中國本土先進(jìn)制程供給擴(kuò)張進(jìn)度有望超預(yù)期，其中7nm/6nm工藝平臺份額預(yù)計擴(kuò)張至接近20%。大同證券分析，隨著AI應(yīng)用從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)延伸，市場對算力硬件的低延遲、高吞吐能力提出更高要求，GPU等核心計算芯片正加速向?qū)Ｓ没軜?gòu)演進(jìn)，推動服務(wù)器主板、PCB及光互連等環(huán)節(jié)的技術(shù)升級與價值重構(gòu)。

先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求激增：申萬宏源強調(diào)，高算力芯片中先進(jìn)封裝成本占比已高于20%。以英偉達(dá)B200為例，CoWoS及配套測試環(huán)節(jié)價值量占比達(dá)21%，博通TPU v6該環(huán)節(jié)占比達(dá)25%。未來隨著前道良率提升，KGD數(shù)量提升，需要更多封裝產(chǎn)能。國內(nèi)先進(jìn)封裝廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，直接拉動后道設(shè)備需求。

存儲進(jìn)入超級周期，擴(kuò)產(chǎn)需求外溢設(shè)備端

AI驅(qū)動的存儲需求橫跨所有領(lǐng)域，2026年服務(wù)器成為存儲占比第一的下游應(yīng)用。新增產(chǎn)能有限，存儲價格維持高位，存儲原廠資本開支提升，直接催化上游設(shè)備訂單。

存儲價格持續(xù)上行：大同證券數(shù)據(jù)顯示，2025年6月以來DRAM價格呈現(xiàn)強勁上升趨勢，直接反映AI服務(wù)器、新一代PC和數(shù)據(jù)中心對高性能內(nèi)存的強勁需求。申萬宏源分析，預(yù)計全球DRAM實際產(chǎn)能從2025年底約196.6萬片提升至2026年底約213.6萬片，增幅有限；NAND Flash產(chǎn)能甚至略有下降，存儲價格有望維持高位。

存儲原廠資本開支加碼：應(yīng)用材料與美光、SK海力士達(dá)成合作，依托EPIC中心加速開發(fā)下一代存儲技術(shù)。三星與英偉達(dá)合作開發(fā)鐵電NAND閃存。申萬宏源指出，三星Line15/P4L、海力士M16/M15x以及美光OMT工廠均有產(chǎn)能擴(kuò)張計劃，存儲原廠資本開支提升直接催化設(shè)備端需求。

國產(chǎn)存儲進(jìn)軍第一梯隊：長鑫科技在合肥、北京共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，已成為全球第四、中國第一的DRAM廠商，DDR5最高速率達(dá)8000Mbps，LPDDR5X最高速率10667Mbps，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。長江存儲已實現(xiàn)Xtacking4.0 260L產(chǎn)品迭代。長鑫科技上市在即，募資295億元投向三大存儲項目，將為設(shè)備廠商帶來確定性訂單。

設(shè)備國產(chǎn)化加速，資本開支進(jìn)入高峰期

中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場占全球比重約三成，本土設(shè)備國產(chǎn)化率已從2024年的25%提升至2025年的35%，設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)入加速期。

資本開支強度持續(xù)：根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，預(yù)計至2026年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場將繼續(xù)領(lǐng)跑所有地區(qū)，金額占全球比重約三成。申萬宏源指出，全環(huán)節(jié)進(jìn)入資本開支高峰期，本土設(shè)備廠商持續(xù)受益高強度資本開支。北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等龍頭在刻蝕、薄膜沉積等領(lǐng)域持續(xù)突破。

國產(chǎn)化率加速提升：根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會公布數(shù)據(jù)，中國大陸使用本土半導(dǎo)體制造設(shè)備的占比已從2024年的25%提升至2025年的35%。設(shè)備國產(chǎn)化已從“政策驅(qū)動”轉(zhuǎn)向“性價比驅(qū)動”，在成熟制程領(lǐng)域已具備較強競爭力，在先進(jìn)制程領(lǐng)域持續(xù)突破。

大基金三期有望成為增量：申萬宏源分析，大基金一期、二期對制造環(huán)節(jié)有較大側(cè)重，投資了中芯國際、華虹半導(dǎo)體、長江存儲、長鑫存儲等核心企業(yè)。截至2026年3月，大基金三期尚未大規(guī)模落地，2026年有望成為資本開支增量，為設(shè)備廠商帶來新一輪訂單周期。

投資建議：半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰（159516）聚焦上游核心環(huán)節(jié)

半導(dǎo)體設(shè)備是晶圓廠的“鏟子”，在國產(chǎn)算力崛起、存儲周期上行、設(shè)備國產(chǎn)化加速三重共振下，設(shè)備板塊有望持續(xù)受益于高強度資本開支。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰（159516）跟蹤中證半導(dǎo)體材料與設(shè)備指數(shù)，成分股中設(shè)備占比超60%，材料占比超20%，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測等核心環(huán)節(jié)，是目前市場規(guī)模最大、流動性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF。

與覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的芯片ETF不同，半導(dǎo)體設(shè)備ETF更聚焦上游“賣鏟人”，在資本開支周期中彈性更大。從估值角度看，設(shè)備板塊經(jīng)過調(diào)整，估值分位處于歷史中低水平，相比漲幅較大的芯片設(shè)計類指數(shù)，安全邊際更優(yōu)，且未來業(yè)績能見度高。對于投資者而言，通過半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）進(jìn)行布局，既可把握國產(chǎn)算力崛起與存儲周期上行的雙重機遇，也可作為長期配置半導(dǎo)體自主可控的核心品種。

風(fēng)險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險收益特征各不相同，敬請投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險等級及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。