截至2026年3月12日10:11，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.12%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌0.38%。截至2026年3月11日，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近3月累計(jì)上漲17.75%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏近3月累計(jì)上漲18.87%。

熱門個(gè)股方面，金宏氣體領(lǐng)漲3.51%，天岳先進(jìn)上漲3.15%，新益昌上漲1.74%;華興源創(chuàng)領(lǐng)跌2.12%，富創(chuàng)精密下跌1.83%，晶升股份下跌1.62%。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手2.21%，成交1.89億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手1.89%，成交5154.24萬(wàn)元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1月規(guī)模增長(zhǎng)3.81億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏近1月規(guī)模增長(zhǎng)2576.13萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入6033.73萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近5個(gè)交易日內(nèi)有4日資金凈流入，合計(jì)”吸金”1.86億元，日均凈流入達(dá)3716.42萬(wàn)元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏近7天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.27億元凈流入，合計(jì)“吸金”2.90億元，日均凈流入達(dá)4140.44萬(wàn)元。

消息面上，通富微電12日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司緊跟行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，抓住市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇，面向未來(lái)高附加值產(chǎn)品以及市場(chǎng)熱點(diǎn)方向，立足長(zhǎng)遠(yuǎn)，大力開發(fā)扇出型、圓片級(jí)、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴(kuò)充其產(chǎn)能；此外，積極布局Chiplet、2D+等頂尖封裝技術(shù)，形成了差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

申萬(wàn)宏源認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)替代背景下，中國(guó)本土OSAT廠商加速崛起。關(guān)注三個(gè)方向：1）2026年中國(guó)本土先進(jìn)制程供給擴(kuò)張進(jìn)度有望超預(yù)期，AI相關(guān)算力芯片放量對(duì)后道配套能力提出更高要求；2）國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)IDM份額持續(xù)提升，先進(jìn)封裝的增量主要是TSV和鍵合工藝；3）漲價(jià)與擴(kuò)產(chǎn)周期共振，封測(cè)服務(wù)價(jià)格中樞持續(xù)抬升。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。